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电子构型 摘要：计算机技术的普及使得人们对计算机存储器的性能提出了新要求。Heusler合金因其独特的磁学性质，为自旋存储器的设计提供了一种可能性。本文采用理论模拟计算方法对D03型Mn3Ga合金的电子结构和磁性进行了研究。我们的研究发现Mn3Ga拥有半金属特性的电子结构，是一种彻底自旋极化的材料。
磁性计算表明它具有典型的反铁磁性。
Mn3Ga合金作为一种半金属反铁磁材料，在自旋存储器件的设计中，具有重要的研究意义。
关键词：Mn3Ga合金；密度泛函理论；电子结构；磁性
中图分类号：TP311 文献标识码：A 文章编号：1009-3044
（2018）07-0189-01
20世纪40年代，第一台计算机的问世拉开了以计算机技术为主的信息技术革命的序幕。计算机技术的发展不仅改变了人们的生产方式，也改变了人们的生活方式。
时至今日，人们在生产生活的方方面面都能看到计算机的身影。
与此同时，人们对计算机性能也提出了更高的要求。
传统的计算机存储设备（硬盘）采用机械驱动方式控制磁盘的转速，该方式制约了硬盘的读取速度，阻碍了计算机的运行速度，限制了计算机性能的发挥。为此，各国研究者们希望寻求一种新的储存器。一种基于隧道磁电阻效应的自旋存储器，以其读取速度快，储存容量大的优点受到广泛关注。该自旋存储器件的关键部件是一种多层结构的磁隧道结。理想磁隧道结的基础是采用具有同一自旋方向的极化电流驱动信息的读写。
Heusler合金是一种特殊的金属化合物，具有独特的磁学性质、形状记忆效应、半金属性、拓扑绝缘等性能，表现出重要的研究价值和广阔的应用前景。1983年Groot等人通过理论计算发现Heusler合金具有半金属性，即其费米面处的电子表现出完全彻底的自旋极化。这种半金属材料能够提供同一自旋方向的极化电子，是一种理想的自旋电子源。
半金属材料在自旋存储器件的设计领域具有重要的研究前景。。